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发现了一批新型的一维材料，益阳并找到部分一维材料与二维材料结构图之间的子图同构关联。2、东5电工通过图论方法获得晶体材料结构图的独立联通单元，通过独立联通单元的维数定义材料的维数。

4、输变审批对于具有不同拓扑结构的一维材料的结构类型进行统计。该研究得到了广东省软科学研究计划项目、程拟化学与精细化工广东省实验室、深圳市科技计划以及广东省基础和应用基础研究基金的支持。湖南环评蓝框和红框分别表示一维材料Sn2S3和SnBr2的结构与SnS2的结构继承关系。

结合两者较低的理论剥离能，益阳提出了孤对s电子对低维材料边界的钝化机制，以此为基础可实现材料维度的调控。一、东5电工【导读】低维材料因其特殊的物理化学性质在过去几十年间引起了研究人员的广泛兴趣，这使得低维材料的搜索与分析有着重要的科学意义。

(e)通过调整材料的组成元素、输变审批几何结构和维度来调节材料的电子结构示意图。

通过研究此类材料边缘处的电子态密度和电子局域函数，程拟此处以一维材料Sn2S3和SnBr2为例，发现其深能级孤对s电子的存在。然后，湖南环评使用高斯混合模型对检测到的缺陷结构进行无监督分类（图3-12），并显示分类结果可以与特定的物理结构相关联。

最后，益阳将分类和回归模型组合成一个集成管道，应用其搜索了整个无机晶体结构数据库并预测出30多种新的潜在超导体。当我们进行PFM图谱分析时，东5电工仅仅能表征a1/a2/a1/a2与c/a/c/a之间的转变，东5电工而不能发现a1/a2/a1/a2内的反转，因此将上述降噪处理的数据、凸壳曲线以及k-均值聚类的方法结合在一起进行分析，发现了a1/a2/a1/a2内的结构的转变机制。

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